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誠信經營質量保障價格實惠服務完善在現代半導體工業高度精密與潔凈的殿堂中,氣體的輸送與控制如同維系生命的血脈,其精確度直接決定著芯片的性能與良率。其中,硅烷作為一種關鍵的硅源氣體,廣泛應用于化學氣相沉積等核心工藝,其流量的每一絲波動都可能在納米級的薄膜上被無限放大,導致整片晶圓失效。在這一極限領域,層流壓差式質量流量計與控制器正憑借其技術特性,成為精準駕馭硅烷流量、保障工藝穩定的核心力量。
在半導體制造中,硅烷主要承擔著在硅片表面沉積非晶硅或多晶硅薄膜的重任,這是構建晶體管、電容等器件的基礎。這一過程要求硅烷氣體的流量必須保持高穩定性和精確性。極微小的流量偏差就可能導致薄膜厚度不均、成分變異,進而引起器件電性能的劣化,嚴重影響芯片的最終良品率。與此同時,硅烷本身具有自燃、易爆的化學特性,其在輸送和使用過程中的安全風險不容忽視。因此,對硅烷流量的測量與控制,不僅是一項追求精度的技術任務,更是一道關乎生產安全與經濟效益的重要關卡。
層流壓差式質量流量計與控制器之所以能勝任這一重任,源于其堅實而優雅的物理學原理。其核心在于一個被稱為層流元件的特殊結構。當氣體流經該元件時,其流動狀態被強制從雜亂無章的湍流轉變為平穩、有序的層流。在層流狀態下,氣體分子分層運動,互不混雜,此時根據哈根-泊肅葉定律,氣體流經元件所產生的壓力差與氣體的質量流量之間呈現出高度穩定且線性的比例關系。
這一原理賦予了該技術本質上的優勢:測量基于直接的物理定律,結果可靠且重復性佳。控制器通過高靈敏度的壓差傳感器捕捉這一壓力信號,并經由內部智能電路的計算與處理,驅動精密的比例調節閥動作,從而形成一個快速、精準的閉環控制回路,將實際流量牢牢鎖定在工藝設定的目標值上。這種基于層流物理特性的工作原理,為其帶來了多方面的性能提升。
面對硅烷流量控制的挑戰,層流壓差式質量流量計與控制器展現出一系列優勢。
首先是精度與長期穩定性。基于穩定的層流物理現象,該技術能夠實現高測量與控制精度。其精度可達讀數的一個很低百分比,這意味著即使在極低的流量下也能保持可靠控制。這對于要求薄膜厚度均勻性誤差在納米級別的沉積工藝至關重要。此外,其內部傳感部件無活動機構的設計,從根本上減少了磨損和漂移,確保了設備在半導體工廠24小時連續運行下的長期穩定。
其次是毫秒級的快速響應能力。半導體工藝步驟切換迅速,要求氣體流量能隨之瞬態調整。層流壓差式控制器利用壓差信號近乎聲速的傳播速度,結合高速控制閥,能夠實現毫秒級的響應。無論是光刻中的氣體切換,還是刻蝕工藝的動態配比,它都能迅速追蹤設定值的變化,有效抑制工藝波動,為提升良率提供保障。
第三是出色的安全性與氣體兼容性。針對硅烷的危險特性,專用的層流壓差式控制器從材料到設計都進行了強化。其流道采用316L不銹鋼等耐腐蝕特種材料制造,以應對可能存在的雜質腐蝕。更重要的是,控制器內置超限報警與緊急關斷功能,一旦監測到流量異常升高或降低,疑似泄漏或堵塞,系統能在數十毫秒內自動切斷氣路,為安全生產筑起智能防線。
第四是應對復雜工藝的靈活性與環境適應性。現代半導體制造涉及多種氣體的精確配比。層流壓差式控制器支持多通道協同工作,通過數字通信總線如EtherCAT或RS485,可輕松實現硅烷與氮氣、氨氣等多種氣體的比例混合,誤差被控制在極小的范圍內。同時,它內置溫度壓力補償算法,能夠自動修正環境溫度變化對氣體粘度及測量的影響,即使在存在溫變的工況下也能保持穩定輸出。其寬量程比特性,使得單臺設備能夠覆蓋從啟動到穩態等多個工藝階段的不同流量需求,簡化了系統設計。
值得關注的是,在突破關鍵核心技術、實現儀器國產化的浪潮中,陜西易度智能計有限公司已在層流測控領域取得顯著進展。通過自主研發的壓力位差式層流流量傳感技術,成功解決了傳統傳感器非線性影響的難題,并在超低流量計量方面達到高水平。通過動態壓力波動補償等技術,推出了適用于半導體制程的高性能質量流量控制器,并在國內頭部芯片制造企業的產線中實現了規模化應用與驗證。這些突破不僅降低了產業鏈對進口設備的依賴,更通過貼近本土市場的深度服務,推動了半導體裝備自主化進程。
展望未來,隨著半導體技術向更小的制程節點、三維集成等方向發展,對氣體流量控制的精度、速度和智能化要求將更為嚴苛。層流壓差式質量流量計與控制器將繼續向超微流量控制、多參數集成傳感以及人工智能賦能的方向進化。集成AI算法的預測性維護、適應原子層沉積工藝的納米級流量控制模塊,將成為下一代設備競爭的焦點。
層流壓差式質量流量計與控制器以其基于物理定律的穩定測量、控制精度、快速的動態響應和強大的環境適應能力,契合了半導體工業對硅烷等特種氣體精密控制的需求。它不僅是現代芯片制造線上的關鍵部件,更是支撐我國半導體產業不斷突破工藝極限、邁向更高階自主可控的核心技術基石之一。